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Transistor IRF7342PBF

Transistor IRF7342PBF
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Transistor IRF7342PBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F7342. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 22 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 64 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 690pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 08:25.

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