Transistor IRF840PBF

Transistor IRF840PBF. Transistor. Marquage du fabricant: IRF840PBF. Tension drain-source Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.85 Ohms @ 4.8A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 49 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1300pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Type de canal: N. Courant de drain maxi: 8A. Puissance: 125W. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Boîtier: TO-220. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Tension drain - source (Vds): 500V. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 00:25.