Transistor IRF9952QPBF

Transistor IRF9952QPBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: F9952Q. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A/-2.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms/0.4 Ohms @ 1/-0.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 12 ns/19 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 26/40 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 190/190pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 22:25.