Transistor IRFB18N50K

Transistor IRFB18N50K. Transistor. C (in): 2830pF. C (out): 3310pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 520 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 68A. Id (T=100°C): 11A. Id (T=25°C): 17A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 50uA. Dissipation de puissance maxi: 220W. Résistance passante Rds On: 0.26 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: SMPS MOSFET, HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 20:25.