Transistor IRFB23N15D

Transistor IRFB23N15D. Transistor. C (in): 1200pF. C (out): 260pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Id(imp): 92A. Id (T=100°C): 17A. Id (T=25°C): 23A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: B23N15D. Dissipation de puissance maxi: 136W. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 18 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 150V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 20:25.