Transistor IRFB260N

Transistor IRFB260N. Transistor. C (in): 4220pF. C (out): 580pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 220A. Id (T=100°C): 40A. Id (T=25°C): 56A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: FB260N. Dissipation de puissance maxi: 380W. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 52 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Fonction: SMPS, convertisseurs DC-DC haute fréquence. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 20:25.