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Transistor IRFB4710

Transistor IRFB4710
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Transistor IRFB4710. Transistor. C (in): 6160pF. C (out): 440pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 74 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Convertisseurs DC-DC haute fréquence. Id(imp): 300A. Id (T=100°C): 53A. Id (T=25°C): 75A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: FB4710. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. Résistance passante Rds On: 0.011 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 41 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3.5V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 20:25.

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