Transistor IRFB5615PBF

Transistor IRFB5615PBF. Transistor. C (in): 1750pF. C (out): 155pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: pour les applications d'amplification audio de classe D. Id(imp): 140A. Id (T=100°C): 25A. Id (T=25°C): 35A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Marquage sur le boîtier: IRFB5615PbF. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 144W. Résistance passante Rds On: 0.032 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 17.2ns. Td(on): 8.9 ns. Technologie: MOSFET audio numérique. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 150V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 19:25.