Transistor IRFD9024

Transistor IRFD9024. Transistor. C (in): 570pF. C (out): 360pF. Type de canal: P. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 100dB. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: FET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 13A. Id (T=100°C): 1.1A. Id (T=25°C): 1.8A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Résistance passante Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 15 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 17:25.