Transistor IRFD9110

Transistor IRFD9110. Transistor. C (in): 200pF. C (out): 94pF. Type de canal: P. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 82 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 5.6A. Id (T=100°C): 0.49A. Id (T=25°C): 0.7A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 1.3W. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 15 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: HEXFET POWWER MOSFET. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DH-1 house, DIP-4. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 17:25.