Transistor IRFIBC30G

Transistor IRFIBC30G. Transistor. C (in): 660pF. C (out): 86pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 400 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 10A. Id (T=100°C): 1.5A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 35W. Résistance passante Rds On: 2.2 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Fonction: Switching. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 16:25.