Transistor IRFP4229PBF

Transistor IRFP4229PBF. Transistor. C (in): 4560pF. C (out): 390pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: PDP MOSFET. Id(imp): 180A. Id (T=100°C): 31A. Id (T=25°C): 44A. Idss (maxi): 1mA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 310W. Résistance passante Rds On: 0.038 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 25 ns. Td(on): 44 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension Vds(max): 250V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Poids: 5.8g. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 12:25.