Transistor IRFP90N20DPBF

Transistor IRFP90N20DPBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247AC. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFP90N20DPBF. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 94A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 56A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 23 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 43 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 640pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 580W. Boîtier (norme JEDEC): 580W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 11:25.