Transistor IRFRC20PBF

Transistor IRFRC20PBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRFRC20PBF. Tension drain-source Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.4 Ohms @ 1.2A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 42W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 09:25.