Transistor IRG4BC30UDPBF

Transistor IRG4BC30UDPBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT avec diode de roue libre ultra rapide intégrée. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRG4BC30UD. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 23A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 40 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 91 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 6V. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Courant de collecteur maxi (A): 92A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 06:25.