Transistor IRG4PC30KD

Transistor IRG4PC30KD. Transistor. C (in): 920pF. C (out): 110pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Trr Diode (Min.): 42 ns. Courant de collecteur: 28A. Ic(puls): 58A. Ic(T=100°C): 16A. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 160 ns. Td(on): 60 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.21V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.7V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6V. Nombre de connexions: 3. Spec info: transistor IGBT ultra-rapide. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 06:25.