Transistor IRGB15B60KD

Transistor IRGB15B60KD. Transistor. C (in): 850pF. C (out): 75pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Trr Diode (Min.): 92 ns. Courant de collecteur: 31A. Ic(puls): 62A. Ic(T=100°C): 15A. Dissipation de puissance maxi: 208W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 184 ns. Td(on): 34 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5.5V. Nombre de connexions: 3. Spec info: Ultrafast Soft Recovery Diode. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 03:25.