Transistor IRL520NSPBF

Transistor IRL520NSPBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D²-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-263. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L520N. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 4 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 440pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 03:25.