Transistor IRL640S

Transistor IRL640S. Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMD-220. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L640S. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 44 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1800pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 00:25.