Transistor IRLD024PBF

Transistor IRLD024PBF. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP4. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: IRLD024PBF. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.5A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 870pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.3W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 00:25.