Transistor IXFA130N10T2

Transistor IXFA130N10T2. Transistor. C (in): 6600pF. C (out): 640pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 300A. Id (T=25°C): 130A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 10uA. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 360W. Résistance passante Rds On: 0.01 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 24 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: TrenchT2 HiPerFet Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-263. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 22:25.