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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor IXFH32N50

Transistor IXFH32N50
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Lot de 1

Transistor IXFH32N50. Transistor. C (in): 5700pF. C (out): 750pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 128A. Id (T=25°C): 32A. Idss (maxi): 1mA. Idss (min): 200uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 360W. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: dv/dt 5V/ns. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 22:25.

Documentation technique

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Transistor. C (in): 5000pF. C (out): 553pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 170 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 124A. Id (T=100°C): 20A. Id (T=25°C): 31A. Idss (maxi): 2mA. Idss (min): 50uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 460W. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 54 ns. Td(on): 28 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Protection G-S: non
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