Transistor IXGH32N60BU1

Transistor IXGH32N60BU1. Transistor. C (in): 2700pF. C (out): 270pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 120ns. Fonction: Ic 60A @ 25°C, 32A @ 90°C, Icm 120A (pulsed). Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 32A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 25 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AD ) HiPerFAST IGBT. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Diode CE: oui. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 22:25.