Transistor KTB778

Transistor KTB778. Transistor. C (out): 280pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: Amplificateur audio haute puissance. Gain hFE maxi: 160. Gain hFE mini: 55. Courant de collecteur: 10A. Marquage sur le boîtier: B778. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-3P ( H ) IS. Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) KTD998. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 16:25.