Transistor MD2009DFX

Transistor MD2009DFX. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: FAST-SWITCH. Gain hFE maxi: 18. Gain hFE mini: 5. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 16A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 58W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 1.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Vebo: 7V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 16:25.