Transistor MDF11N65B

Transistor MDF11N65B. Transistor. C (in): 1650pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 355 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. Id (T=100°C): 6.9A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 1uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 49.6W. Résistance passante Rds On: 0.45 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 132 ns. Td(on): 27 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Fonction: SMPS, commutation à grande vitesse. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 16:25.