Transistor MDF9N50TH

Transistor MDF9N50TH. Transistor. C (in): 780pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 272 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 28nC, faible Crss 24pF. Id(imp): 36A. Id (T=100°C): 5.5A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 9A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 38W. Résistance passante Rds On: 0.72 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 38 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: +55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 16:25.