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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers

Transistor MMBT2907ALT1G

Transistor MMBT2907ALT1G
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Quantité (Lot de 10) HT TTC
1 - 4 0.53€ 0.64€
5 - 9 0.50€ 0.61€
10 - 24 0.48€ 0.58€
25 - 49 0.45€ 0.54€
50 - 99 0.42€ 0.51€
100 - 111 0.40€ 0.48€
Quantité (Lot de 10) U.P
1 - 4 0.53€ 0.64€
5 - 9 0.50€ 0.61€
10 - 24 0.48€ 0.58€
25 - 49 0.45€ 0.54€
50 - 99 0.42€ 0.51€
100 - 111 0.40€ 0.48€
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Quantité en stock : 1110
Lot de 10

Transistor MMBT2907ALT1G. Transistor. C (out): 1.6pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 0.6A. Ic(puls): 1.2A. Marquage sur le boîtier: 2F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 225mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: SMD '2F'. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 06:25.

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