Transistor MMBT5551LT1G

Quantité	HT	TTC
1 - 9	0.26€	0.31€
10 - 24	0.25€	0.30€
25 - 49	0.24€	0.29€
50 - 99	0.22€	0.27€
100 - 249	0.11€	0.13€
250 - 499	0.10€	0.12€
500 - 8825	0.0967€	0.1170€

Quantité	U.P
1 - 9	0.26€	0.31€
10 - 24	0.25€	0.30€
25 - 49	0.24€	0.29€
50 - 99	0.22€	0.27€
100 - 249	0.11€	0.13€
250 - 499	0.10€	0.12€
500 - 8825	0.0967€	0.1170€

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Quantité en stock : 8825

Lot de 1

Transistor MMBT5551LT1G. Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: G1. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 160V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 600mA. Fréquence de coupure ft [MHz]: 100 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.225W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor NPN. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 06:25.

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