Transistor NDS355AN

Transistor NDS355AN. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: NDS355AN_NL. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.125 Ohms @ 1.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 195pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 23:25.