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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V - 2N3019-ST

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Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V - 2N3019-ST. Transistor NPN, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 80V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-39 ( TO-205 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-39. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Planar Epitaxial transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 140V. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Vebo: 7V. Quantité en stock actualisée le 19/04/2025, 14:25.

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