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Semi-conducteurs Transistors Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SC3886A

Transistor NPN, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SC3886A
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Transistor NPN, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A) - 2SC3886A. Transistor NPN, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Matériau semi-conducteur: silicium. Marquage sur le boîtier: C3886A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: MONITOR. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 02:25.

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Transistor NPN, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 8A. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1.7 MHz. Fonction: High Switching, Horizontal Deflection out. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 4.3. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: C5386. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Triple Diffused MESA Type'. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: MONITOR Hi-res
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Transistor NPN, 10A, SOT-399, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Courant de collecteur: 10A. Boîtier (selon fiche technique): SOT-399. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 64kHz. Gain hFE maxi: 10. Gain hFE mini: 5. Ic(puls): 25A. Dissipation de puissance maxi: 45W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance au silicium. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension de saturation VCE(sat): 5V. Vebo: 13.5V. Nombre de connexions: 3. Fonction: Monitor TV-HA, hi-res, Visol--2500V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non
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