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Transistor NPN, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V - 2SC5707

Transistor NPN, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V - 2SC5707
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Transistor NPN, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V - 2SC5707. Transistor NPN, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Diode BE: non. Diode CE: non. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 100dB. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 330 MHz. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 11A. Marquage sur le boîtier: C5707. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 15W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2040. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.11V. Produit d'origine constructeur Sanyo. Quantité en stock actualisée le 20/07/2025, 16:25.

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Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 330 MHz. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 11A. Marquage sur le boîtier: C5707T. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 15W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2040FA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.11V. Vebo: 6V
2SC5707FA
Transistor NPN, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 330 MHz. Fonction: convertisseur DC-DC, alimentation TFT. Gain hFE maxi: 560. Gain hFE mini: 200. Ic(puls): 11A. Marquage sur le boîtier: C5707T. Nombre de connexions: 2. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 15W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA2040FA. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation VCE(sat): 0.11V. Vebo: 6V
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