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Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V - BC817-40

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Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V - BC817-40. Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. C (out): 10pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 170 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 630. Gain hFE mini: 250. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. RoHS: oui. Spec info: sérigraphie/code CMS 6C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Résistance B: transistor pour applications basse puissance. Résistance BE: SOT23. C (in): 0.31W. Produit d'origine constructeur Yangjie Electronic Technology. Quantité en stock actualisée le 22/07/2025, 00:25.

Documentation technique

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Transistor NPN, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Courant de collecteur: 0.5A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23-3. Tension collecteur/émetteur Vceo: 45V. Diode BE: non. C (out): 3pF. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: NF-TR. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 250. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: 6C. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Spec info: SMD 6C. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V
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