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Semi-conducteurs Transistors Transistors bipolaires NPN

Transistor NPN, 1.5A, 100V - BD230

Transistor NPN, 1.5A, 100V - BD230
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50 - 99 0.48€ 0.58€
100 - 249 0.47€ 0.57€
250 - 499 0.45€ 0.54€
500+ 0.44€ 0.53€
Quantité U.P
1 - 9 0.53€ 0.64€
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Transistor NPN, 1.5A, 100V - BD230. Transistor NPN, 1.5A, 100V. Courant de collecteur: 1.5A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 125 MHz. Fonction: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Type de transistor: NPN. Produit d'origine constructeur --. Quantité en stock actualisée le 22/07/2025, 06:25.

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Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 1.5A, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD139. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Ic(puls): 3A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD140. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V
BD139
Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-126, 1.5A, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5A. Courant de collecteur: 1.5A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD139. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Dissipation maximale Ptot [W]: 12.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 50 MHz. Ic(puls): 3A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 12.5W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD140. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V
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