Transistor NPN, 100V, TO220, 8A, TO-220, TO-220AB, 100V - BDX53C

Transistor NPN, 100V, TO220, 8A, TO-220, TO-220AB, 100V - BDX53C. Transistor NPN, 100V, TO220, 8A, TO-220, TO-220AB, 100V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 100V. Boîtier: TO220. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Polarité: NPN. Type: transistor Darlington. Puissance: 60W. Gain hFE min.: 750. Tension base / collecteur VCBO: 100V. Type de montage: montage traversant pour circuit imprimé. Courant maximum 1: 8A. Série: BDX53. MSL: +150°C. Tension IGBT VRSM maxi: silicium. Information: 20 MHz. Gain hFE mini: 750. Ic(puls): 12A. Remarque: transistor complémentaire (paire) BDX54C. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 60W. RoHS: oui. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistors Darlington de puissance complémentaire. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Bande passante MHz: 50. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 22/07/2025, 07:25.