Transistor PMV213SN

Transistor PMV213SN. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: PMV213SN. Tension drain-source Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.9A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 0.5A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 5.5 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 9.5 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 330pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 12:25.