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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors bipolaires PNP

Transistor PNP, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V - MMBT4403LT1G

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5 - 9 0.53€ 0.64€
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25 - 49 0.47€ 0.57€
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Transistor PNP, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V - MMBT4403LT1G. Transistor PNP, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Courant de collecteur: 0.6A. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 30. Marquage sur le boîtier: 2T. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.3W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf(max): 30 ns. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 04:25.

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Transistor PNP, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Courant de collecteur: 600mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. C (out): 29pF. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 800mA. Marquage sur le boîtier: *T2, P2T, T2T, W2T. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS P2T, T2T, W2T, transistor complémentaire (paire) PMBT4401. Diode BE: non. Diode CE: non
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