Transistor RFP12N10L

Transistor RFP12N10L. Transistor. C (in): 900pF. C (out): 325pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Trr Diode (Min.): 150 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 30A. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: F12N10L. Dissipation de puissance maxi: 60W. Résistance passante Rds On: 0.20 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 15 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+155°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 10V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Technologie: MegaFET process, Power MOSFET. Spec info: N-Channel Logic Level Power MOSFET. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 19:25.