Transistor SGH30N60RUFD

Transistor SGH30N60RUFD. Transistor. C (in): 1970pF. C (out): 310pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Trr Diode (Min.): 50 ns. Fonction: IGBT haute vitesse. Courant de collecteur: 48A. Ic(puls): 90A. Ic(T=100°C): 30A. Marquage sur le boîtier: G30N60RUFD. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 235W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 54 ns. Td(on): 30 ns. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5V. Spec info: Ic 48A @ 25°C, 30A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 18:25.