Transistor SGP15N120

Transistor SGP15N120. Transistor. RoHS: oui. C (in): 1250pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Trr Diode (Min.): 3. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 52A. Ic(T=100°C): 15A. Marquage sur le boîtier: G15N120. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 198W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 580 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: IGBT rapide en technologie NPT. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AC. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3.6V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 3V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Fonction: commandes de moteur, onduleur, SMPS. Diode CE: non. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 19:25.