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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers

Transistor SI2308BDS-T1-GE3

Transistor SI2308BDS-T1-GE3
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Quantité HT TTC
1 - 4 0.34€ 0.41€
5 - 9 0.32€ 0.39€
10 - 24 0.30€ 0.36€
25 - 49 0.29€ 0.35€
50 - 99 0.28€ 0.34€
100 - 249 0.27€ 0.33€
250 - 8783 0.26€ 0.31€
Quantité U.P
1 - 4 0.34€ 0.41€
5 - 9 0.32€ 0.39€
10 - 24 0.30€ 0.36€
25 - 49 0.29€ 0.35€
50 - 99 0.28€ 0.34€
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Quantité en stock : 8783
Lot de 1

Transistor SI2308BDS-T1-GE3. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): MS-012. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: L8. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.3A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.192 Ohms @ 1.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 190pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.66W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 19:25.

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