Transistor SI4532CDY-T1-GE3

Transistor SI4532CDY-T1-GE3. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Marquage du fabricant: SI4532CDY-T1-E3. Tension drain-source Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A/-3.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 11 ns/10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 25/30 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 305/340pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.14W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 12:25.