Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.82€ | 3.41€ |
5 - 9 | 2.68€ | 3.24€ |
10 - 24 | 2.54€ | 3.07€ |
25 - 49 | 2.40€ | 2.90€ |
50 - 95 | 2.34€ | 2.83€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.82€ | 3.41€ |
5 - 9 | 2.68€ | 3.24€ |
10 - 24 | 2.54€ | 3.07€ |
25 - 49 | 2.40€ | 2.90€ |
50 - 95 | 2.34€ | 2.83€ |
Transistor SPD08N50C3. Transistor. C (in): 750pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 370 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Id(imp): 22.8A. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.6A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 08N50C3. Dissipation de puissance maxi: 83W. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 560V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.
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