Transistor SPD09N05

Transistor SPD09N05. Transistor. C (in): 215pF. C (out): 75pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration dv/dt. Id(imp): 37A. Id (T=100°C): 6.5A. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: SPD09N05. Dissipation de puissance maxi: 24W. Résistance passante Rds On: 0.093 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 55V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.