Transistor SPP80N06S2L-11

Transistor SPP80N06S2L-11. Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2N06L11. Tension drain-source Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.015 Ohms @ 40A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 13 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 68 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2650pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 158W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.