Transistor SPW20N60C3

Transistor SPW20N60C3. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 20N60C3. Tension drain-source Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20.7A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.9V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 100 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2400pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 208W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.