Transistor STB120N4F6

Transistor STB120N4F6. Transistor. C (in): 3850pF. C (out): 650pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. Id (T=100°C): 80A. Id (T=25°C): 80A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 120N4F6. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 3.5m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 40 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: STripFET™ VI Power MOSFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 40V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Fonction: applications de commutation, automobile. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 05:25.