Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.30€ | 1.57€ |
5 - 9 | 1.24€ | 1.50€ |
10 - 24 | 1.17€ | 1.42€ |
25 - 49 | 1.11€ | 1.34€ |
50 - 98 | 1.08€ | 1.31€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.30€ | 1.57€ |
5 - 9 | 1.24€ | 1.50€ |
10 - 24 | 1.17€ | 1.42€ |
25 - 49 | 1.11€ | 1.34€ |
50 - 98 | 1.08€ | 1.31€ |
Transistor STD3NK80Z-1. Transistor. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 10A. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50mA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: D3NK80Z. Dissipation de puissance maxi: 70W. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 75. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 05:25.
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