Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.02€ | 1.23€ |
5 - 9 | 0.97€ | 1.17€ |
10 - 24 | 0.92€ | 1.11€ |
25 - 49 | 0.87€ | 1.05€ |
50 - 50 | 0.85€ | 1.03€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.02€ | 1.23€ |
5 - 9 | 0.97€ | 1.17€ |
10 - 24 | 0.92€ | 1.11€ |
25 - 49 | 0.87€ | 1.05€ |
50 - 50 | 0.85€ | 1.03€ |
Transistor STD5N52K3. Transistor. C (in): 545pF. C (out): 45pF. Type de canal: N. Nombre de canaux: 1. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 240 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 17.6A. Id (T=100°C): 2.77A. Id (T=25°C): 4.4A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 5uA. Marquage sur le boîtier: 5N52K3. Dissipation de puissance maxi: 70W. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 29 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: SuperMESH3™ Power MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-3. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 525V. Tension grille/source Vgs: 30V. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Fonction: applications de commutation, charge de porte minimisée, faible IDSS. Spec info: Enhancement type. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 05:25.
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